一种用于GaN FET的双通道电容隔离式栅极驱动器设计

作     者：宋红江 银军 赵永瑞 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《通讯世界》 (Telecom World)

年 卷 期：2022年第29卷第7期

页      码：195-198页

摘      要：针对氮化镓功率器件(GaN FET)栅极驱动电路应用,本文设计了一款具有4 kVRMS隔离电压能力的双通道电容隔离式栅极驱动器,采用通-断键控(on-off keying,OOK)、脉冲双模式,分别应对高速、低速信号传输;采用商用半导体工艺中金属层作为基板,并采用聚酰亚胺(polyimide,PI)层作为介质层,形成较高耐压的电容,电容典型值为90 fF;采用微电流振荡器作为芯片核心振荡器,使振荡频率达到600 MHz的同时具有较低功耗,保证高速信号的有效传输。基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺设计验证,此驱动器电路的共模脉冲抑制(common mode transient immunity,CMTI)能力高达100 kV/μs,数据典型传输延时小于20 ns,典型传输速率可达10 Mbit/s。

主 题 词：电容隔离式驱动器 栅极驱动器 GaN驱动器 共模脉冲抑制 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-4222.2022.07.065

馆 藏 号：203115816...