新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

作     者：李果华 孙艳宁 Woodall J M 严辉 Freeouf J L 

作者机构：北京工业大学量子材料实验室 耶鲁大学电子工程系 奥尔良卫生与科学大学电子及计算机工程系 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2004年第33卷第5期

页      码：845-847页

摘      要：为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池。本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50％的内量子效率,在253nm也有较好的响应。有望获得高效率的应用于AMO条件的InP太阳电池。此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器。

主 题 词：磷化铟薄膜太阳电池 光谱响应 漂移机制 内量子效率 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.034

馆 藏 号：203115985...