深亚微米CMOS运算放大器的综合

作     者：易婷 洪志良 

作者机构：复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 

出 版 物：《计算机辅助设计与图形学学报》 (Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics)

年 卷 期：2004年第16卷第12期

页      码：1631-1639页

摘      要：利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。

主 题 词：CMOS运算放大器 模拟电路综合 直流工作点 可制造性电路设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0835[0835] 0811[工学-水利类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1003-9775.2004.12.002

馆 藏 号：203116032...