高稳定性ZnO∶Ga/InGaN异质结微型绿光发光二极管

作     者：林毅 周雷 范宝路 于彦龙 徐春祥 LIN Yi;ZHOU Lei;FAN Bao-lu;YU Yan-long;XU Chun-xiang

作者机构：淮阴工学院数理学院江苏淮安223003 东南大学生物科学与医学工程学院江苏南京210096 

基　　金：国家自然科学基金(11604114)资助项目 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2022年第43卷第12期

页      码：1965-1973页

摘      要：绿光光源可广泛应用于固态照明、可见光通信、电子显示、光遗传学等领域。相比于蓝光LED,高性能低维绿色发光器件的设计与制备受限于绿光效率低(Green gap)和高注入电流下效率下降(Efficiency droop)两个主要问题的困扰。本文采用化学气相沉积方法(CVD)生长镓掺杂的氧化锌微米线(ZnO∶Ga MW),结合p型InGaN衬底制备了n-ZnO∶Ga MW/p-InGaN异质结发光二极管。该器件的输出波长为540 nm,半峰宽约为32 nm,在相对较大的注入电流下,器件发光峰位、半峰宽等发光特征参数没有明显的变化,且相对外量子效率(REQE)在较大电流下呈现出相对较小的下降,体现了较高的发光稳定性。此外,利用金纳米薄膜改善了ZnO∶Ga微米线与InGaN衬底间的接触,实现了结区界面的优化,成功提高了发光二极管的发光强度。实验结果表明,采用n-ZnO∶Ga微米线结合p-InGaN衬底构筑的异质结可用于制备高稳定性高亮度的微型绿光发光二极管。

主 题 词：绿光发光二极管 金纳米薄膜 镓掺杂氧化锌微米线 铟镓氮 相对外量子效率 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.37188/CJL.20220331

馆 藏 号：203116164...