基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计

作     者：焦凌彬 姚凤薇 JIAO Lingbin;YAO Fengwei

作者机构：上海电机学院电子信息学院上海201306 

基　　金：上海市自然科学基金(17ZR1411100) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2022年第41卷第11期

页      码：1202-1208页

摘      要：采用2μm砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(HBT)工艺设计和实现了一种3.3~3.8 GHz的高线性度射频(RF)功率放大器(PA)。采用了一种改进的有源自适应偏置电路结构,既提高了静态偏置电流的稳定性和可控性,又对增益压缩起到了抑制作用。优化了各级匹配网络,抑制了谐波分量的影响,在低电源电压下实现了较高的增益和良好的线性指标。仿真结果显示:测量的小信号增益大于33.4 dB;1 dB压缩点功率为31.3 dBm@3.55 GHz;功率附加效率超过30%@3.55 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-50 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-40 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄露比为-37.62 dBc。

主 题 词：射频功率放大器 有源自适应偏置电路 匹配网络 高线性度 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.0413

馆 藏 号：203116184...