非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池结构设计研究

作     者：何玉平 袁贤 胡军平 李未 黄海宾 HE Yuping;YUAN Xian;HU Junping;LI Wei;HUANG Haibin

作者机构：南昌工程学院理学院南昌市光电转换与储能材料重点实验室江西南昌330099 南昌大学光伏研究院江西南昌330031 

基　　金：江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ211925) 

出 版 物：《南昌工程学院学报》 (Journal of Nanchang Institute of Technology)

年 卷 期：2022年第41卷第6期

页      码：97-101页

摘      要：理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O_(2)气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池。结果表明:ITO最优Ar与Ar/O_(2)气体流量比为50∶40 sccm,载玻片电阻最低为60.2Ω;HWCVD法双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池转换效率为本实验室同条件下电池最高,达到了11.2%。

主 题 词：发射极 非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池 转换效率 IV曲线 量子效率 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-4869.2022.06.017

馆 藏 号：203116208...