碳化硅外延设备控制系统

作     者：盛飞龙 钟新华 王鑫 伍三忠 戴科峰 仇礼钦 SHENG Feilong;ZHONG Xinhua;WANG Xin;WU Sanzhong;DAI Kefeng;QIU Liqin

作者机构：季华实验室广东佛山528200 

基　　金：季华实验室基金项目(X210241TC210) 

出 版 物：《自动化与信息工程》 (Automation & Information Engineering)

年 卷 期：2022年第43卷第6期

页      码：41-45,51页

摘      要：碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等。该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统,设计了软件架构、流程、交互、控制零件等。经反复的工艺运行验证,该系统的最高测量温度达到1750℃;温控精度≤1℃;压力控制精度≤1 mbar;外延最高生长速率≥60 um/h;厚度均匀性≤2%;掺杂浓度均匀性≤5%;平均修复时间(MTTR)≤8 h,以上指标均达到设计要求。

主 题 词：碳化硅 外延设备 多总线 模块化 控制系统 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-2605.2022.06.007

馆 藏 号：203116237...