SiGe SOI CMOS特性分析与优化设计

作     者：高勇 黄媛媛 刘静 GAO Yong;HUANG Yuan-yuan;LIU Jing

作者机构：西安理工大学自动化学院电子工程系西安710048 

基　　金：西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200514) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2007年第37卷第5期

页      码：619-623页

摘      要：基于全耗尽SOI CMOS工艺,建立了具有Si Ge沟道的SOI MOS器件结构模型,并利用ISE TCAD器件模拟软件,对Si Ge SOI CMOS的电学特性进行模拟分析。结果表明,引入Si Ge沟道可极大地提高PMOS的驱动电流和跨导(当Ge组分为0.3时,驱动电流提高39.3%,跨导提高38.4%),CMOS电路的速度显著提高;在一定的Ge总量下,改变Ge的分布,当沟道区呈正向递减式分布时,电路速度最快。

主 题 词：全耗尽SOI SiGe CMOS 迁移率 驱动电流 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2007.05.001

馆 藏 号：203116299...