PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑

作     者：严北平 罗晋生 

作者机构：西安电子科技大学微电子学研究所710071 西安交通大学微电子工程系710049 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1997年第17卷第3期

页      码：212-217页

摘      要：PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同，这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。

主 题 词：异质结 双极晶体管 PNP型 HBT NPN型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203116308...