氧化锌薄膜的p型掺杂及光学和电学性质

作     者：李梦婷 张文雪 

作者机构：长安大学材料学院陕西西安710064 

出 版 物：《科技资讯》 (Science & Technology Information)

年 卷 期：2013年第11卷第20期

页      码：98-98页

摘      要：氧化锌属于一种直接带隙宽半导体材料,具备较小的玻尔半径及较大的激子束缚能,在短波长光电子器件研究领域具备较好的应用前景,对于提高光信息存取速度与光记录密度具有重要意义。在氧化锌薄膜形成过程中,将活性原子N掺入可以有效得到p-ZnO薄膜,对p型掺杂情况进行判断,根据结构设计制备出具备良好电学特性的ZnO同质p-n结,经观察发现,这种结构具备良好的伏安特性曲线,通过实验证明,p-ZnO具有很好的潜在应用价值,对实现ZnO光电器件实用化存在着极为重要的作用。

主 题 词：氧化锌薄膜 p型掺杂 光学 电学 性质 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16661/j.cnki.1672-3791.2013.20.019

馆 藏 号：203116560...