CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证

作     者：陈睿 冯颖 余永涛 上官士鹏 封国强 朱翔 马英起 韩建伟 CHEN Rui;FENG Ying;YU Yongtao;SHANGGUAN Shipeng;FENG Guoqiang;ZHU Xiang;MA Yingqi;HAN Jianwei

作者机构：中国科学院国家空间科学中心北京100190 中国科学院大学北京100049 北京电子工程总体研究所北京100854 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(40974113) 基础科研项目资助(A1320110028) 中国科学院支撑技术项目资助(110161501038) 中国科学院知识创新工程青年基金资助项目(O82111A17S) 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2014年第48卷第4期

页      码：721-726页

摘      要：利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。

主 题 词：CMOS器件 单粒子闭锁效应 防护电路 脉冲激光 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.7538/yzk.2014.48.04.0721

馆 藏 号：203116582...