基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计

作     者：李二亮 张立军 李有忠 张其笑 姜伟 胡玉青 LI Er-liang;ZHANG Li-jun;LI You-zhong;ZHANG Qi-xiao;JIANG Wei;HU Yu-qing

作者机构：苏州大学城市轨道交通学院江苏苏州215000 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61272105) 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2015年第23卷第9期

页      码：8-11页

摘      要：在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较,仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。

主 题 词：静态随机存取存储器 工艺拐点补偿 温度补偿 读操作跟踪电路 蒙特卡罗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2015.09.003

馆 藏 号：203116642...