p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

作     者：游达 许金通 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 You Da;Xu Jintong;Tang Yingwen;He Zheng;Xu Yunhua;Gong Haimei

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第10期

页      码：1861-1865页

摘      要：报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.

主 题 词：AlGaN 二维空穴气 肖特基 极化效应 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.10.032

馆 藏 号：203116666...