存储单元抗TID/SEL电路加固技术面积代价研究

作     者：王文 桑红石 沈绪榜 WANG Wen;SANG Hong-shi;SHEN Xu-bang

作者机构：华中科技大学多谱信息处理技术国家级重点实验室湖北武汉430074 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2014年第31卷第6期

页      码：25-29页

摘      要：在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存储单元加固方案,并和现有几种方案进行对比,研究了这些加固方案的面积代价.研究结果表明,抗TID/SEL RHBD方案普遍会使存储单元的版图面积增加87.5%以上.提出了一种加固方案,可以在加固性能和面积代价上得到较好的折衷.

主 题 词：总剂量效应(TID) 单粒子闩锁(SEL) 辐射加固设计 面积代价 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2014.06.007

馆 藏 号：203116723...