高阻表面交指形电容设计公式的改进

作     者：郑秋容 李有权 张辉 袁乃昌 ZHENG Qiu-rong;LI You-quan;ZHANG Hui;YUAN Nai-chang

作者机构：国防科学技术大学电子科学与工程学院 

基　　金：国家973安全重大基础研究项目(No.51307) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2007年第35卷第12期

页      码：2319-2323页

摘      要：本文采用保角变换法和电容拼接技术对交指形电容进行精确的计算,对交指形高阻表面光子晶体设计公式进行了改进.该计算模型适用于宽范围的介电常数和介质层厚度,各指长度和缝隙宽度可以不同,并且很容易扩展到多层介质以及有覆盖层的情况.设计了三个光子晶体例子,对其表面波特性进行了模拟和测试,得出交指电容值,证明本文给出的计算公式更准确.

主 题 词：高阻表面 保角变换法 交指形电容 表面波特性 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2007.12.017

馆 藏 号：203117003...