窄道宽磁头边缘磁场读写性能分析

作     者：卢萍 张江陵 

作者机构：华中理工大学计算机科学与技术学院 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《华中理工大学学报》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology)

年 卷 期：1998年第26卷第5期

页      码：69-71页

摘      要：对窄道宽磁头边缘磁场进行了深入分析，导出了该磁场的三维解析表达式．结果显示，该表达式具有较高精确度，能够揭示窄道宽磁头最优化设计中几何参数的选择规律．在此基础上，讨论了边沿磁场对写入道宽以及读出性能的影响．

主 题 词：高密度 窄道宽磁头 边缘磁场 读写性能 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.13245/j.hust.1998.05.023

馆 藏 号：203117597...