等离子体聚集装置下的高能量密度单晶金刚石快速生长研究

作     者：李一村 刘雪冬 郝晓斌 代兵 吕继磊 朱嘉琦 LI Yicun;LIU Xuedong;HAO Xiaobin;DAI Bing;LYU Jilei;ZHU Jiaqi

作者机构：哈尔滨工业大学航天学院哈尔滨150000 湖北碳六科技有限公司宜昌443000 

基　　金：国家自然科学基金(52072087) 国家重点研发计划(2020YFA0709700) 黑龙江省自然科学基金(YQ2020E008) 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2023年第38卷第3期

页      码：303-309页

摘      要：单晶金刚石是一种性能优异的晶体材料,在先进科学领域具有重要的应用价值。在微波等离子体化学气相沉积(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)单晶金刚石生长中,如何提高晶体的生长速率一直是研究者们关注的重点问题之一,而采用高能量密度的等离子体是提高单晶金刚石生长速率的有效手段。在本研究中,首先通过磁流体动力学(Magnetohydrodynamic,MHD)模型仿真计算,优化设计了特殊的等离子体聚集装置;随后基于模拟结果进行生长实验,采用光谱分析和等离子体成像对等离子体性状进行了研究,制备了单晶金刚石生长样品;并通过光学显微镜、拉曼光谱对生长样品进行测试。模拟结果显示,聚集条件下的核心电场和电子密度是普通条件下的3倍;生长实验结果显示,在常规的微波功率(3500 W)、生长气压(18 kPa)下得到的高能量密度(793.7 W/cm^(3))的等离子体与模型计算结果吻合。高能量密度生长条件并不会对生长形貌产生较大影响,但加入一定量氮气能够显著改变生长形貌,并对晶体质量产生影响。采用这种方法,成功制备了高速率(97.5μm/h)单晶金刚石。不同于通过增大生长气压来获得高能量密度的途径,本研究在常规的生长气压和微波功率下也可以生长高能量密度单晶金刚石。

主 题 词：MPCVD单晶金刚石生长 高能量密度 高生长速率 等离子体仿真 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.15541/jim20220633

馆 藏 号：203117775...