射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计

作     者：王一鸣 李泽宏 王小松 翟向坤 张波 李肇基 Wang Yiming;Li Zehong;Wang Xiaosong;Zhai Xiangkun;Zhang Bo;Li Zhaoji

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第8期

页      码：1441-1446页

摘      要：对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.

主 题 词：射频功率 LDMOS 槽形结构 寄生反馈电容 截止频率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.08.021

馆 藏 号：203117809...