基于0.25μm BCD工艺的一种新型低温漂欠压保护电路

作     者：郭敏 王立新 谢红云 张洪凯 崔梦瑶 陈润泽 刘先程 GUO Min;WANG Lixin;XIE Hongyun;ZHANG Hongkai;CUI Mengyao;CHEN Runze;LIU Xiancheng

作者机构：北京工业大学信息学部北京100124 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家自然科学基金项目(61604106,61774012,61901010) 北京市自然科学基金项目(4192014) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2022年第45卷第6期

页      码：1307-1311页

摘      要：提出了一种结构简单并且具有低温度敏感性的新型欠压保护电路。该电路避免了传统欠压保护电路的基准电压产生模块和比较器模块,利用带隙基准结构和高阶温度补偿的方法减小阈值电压和迟滞电压随温度的变化量,提高了UVLO电路的独立性和可靠性。基于0.25μm BCD工艺设计实现的新型欠压保护电路芯片面积为0.04 mm^(2),功耗为0.14 mW。在温度为25℃时,新型欠压保护电路的上升阈值为8.625 V,下降阈值为8.145 V,迟滞量为0.48 V,能够满足电源管理芯片的应用要求。在-40℃~125℃温度变化范围内,该电路的阈值电压和迟滞电压的最大变化量分别为53 mV和50 mV,具有低温度漂移特性。

主 题 词：欠压保护 迟滞 阈值电压 高阶温度补偿 低温漂 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2022.06.006

馆 藏 号：203117881...