忆阻器类脑计算芯片研究现状综述

作     者：陈长林 骆畅航 刘森 刘海军 CHEN Changlin;LUO Changhang;LIU Sen;LIU Haijun

作者机构：国防科技大学电子科学学院湖南长沙410073 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61974164 62074166 61804181 61704191 62004219 62004220) 

出 版 物：《国防科技大学学报》 (Journal of National University of Defense Technology)

年 卷 期：2023年第45卷第1期

页      码：1-14页

摘      要：为把握忆阻类脑芯片发展现状并总结其发展趋势,对现有忆阻类脑计算芯片与架构进行了调研,对芯片中所采用的忆阻器阵列结构和集成工艺、前神经元电路、后神经元电路、多阵列互连拓扑结构与数据传输策略,以及芯片设计过程中所采用的系统仿真和评估方法进行了对比分析。总结出当前忆阻类脑计算芯片电路设计仍需解决忆阻器可用阻态少、器件参数波动性大、阵列外围电路复杂、集成规模小等问题,并指出了该类芯片走向实际应用仍然面临着忆阻器生产工艺提升、完善开发工具支持、专用指令集开发、确定典型牵引性应用等挑战。

主 题 词：忆阻器 类脑计算 存算一体 加速芯片 低功耗 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.11887/j.cn.202301001

馆 藏 号：203117957...