Cadence宣布推出基于台积电16nm FinFET制程DDR4 PHY IP

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2014年第39卷第6期

页      码：463-463页

摘      要：2014年5月20日，全球电子设计企业Cadence设计系统公司宣布，立即推出基于台积电16nm FinFET制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。16nm技术与Cadence创新的架构相结合，可帮助客户达到DDR4标准的最高性能，亦即达到3200Mb／s的级别，相比之下，目前无论DDR3还是DDR4技术，

主 题 词：Cadence设计系统公司 台积电 制程 FinFET 设计企业 知识产权 Mbs PHY 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203118132...