10~26GHz CMOS六位数控衰减器设计与实现

作     者：雒寒阳 李斌 陈卫东 LUO Hanyang;LI Bin;CHEN Weidong

作者机构：中国电子科技集团公司第五十四研究所石家庄050081 河北省电磁频谱认知与管控重点实验室石家庄050011 

出 版 物：《计算机测量与控制》 (Computer Measurement &Control)

年 卷 期：2023年第31卷第1期

页      码：276-281,300页

摘      要：为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成,在10~26 GHz频率范围内实现步进为0.5 dB、动态范围为0~31.5 dB的信号幅度衰减;为减小插入损耗,NMOS开关采用悬浮栅和悬浮衬底连接方式,同时采用了电容补偿网络和电感补偿以有效降低附加相移;仿真结果表明,在10~26 GHz的频带范围内,该数控衰减器的插入损耗小于-7 dB,输入/输出回波小于-10 dB,附加相移小于±3°,所有衰减态的衰减误差均方根小于0.8 dB,芯片的核心电路面积为0.36 mm×0.16 mm。

主 题 词：集成电路技术 数控衰减器 CMOS NOMS开关 附加相移 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16526/j.cnki.11-4762/tp.2023.01.041

馆 藏 号：203118147...