低功耗GaAs是替代CMOS的高性能技术

作     者：ChirsGardner 

作者机构：VitesseSemiconductor公司ASIC产品部 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：1995年第2卷第1期

页      码：37-37页

摘      要：CMOS电路可能达到的高集成度和性能使得芯片的功耗成为一个主要的设计问题。在100～200MHz时钟速度下运行的当代CMOS处理器可消耗20～30W甚或更多的功率。虽然GaAs的集成度没有CMOS那样高,但最近在减小功率方面取得的进展已可以把10万个以上的门集成在一个GaAs芯片上。为了达到这个目标,GaAs厂家已把技术开发重点放到大幅度减小功耗上。GaAs为工作频率高于100MHz的许多设计提供了低功耗解决方法。设计人员正在利用GaAs在高速工作时每门平均功耗较小和工作电压较低这两种优点。GaAsIC现在不仅能在速度上,而且在集成度和较低的总功耗上有力地与biCMOS和CMOSIC进行竞争。例如,Vitesse公司新一代的 0.5μm GaAs门阵列每门消耗的功率是该公司原有的0.6μm门阵列的1/5。功率的减少是由于电容减小,电源电压降低,以及采用较低速度的低功耗核心单元这三个因素共同造成的。但是,这些低功耗核心单元仍能提供6OOMHz以上的翻转频率。同一阵列上的高速核心单元将支持1GHz的设计。由于混合使用低功耗核心和I/O,因而可以设计出含1万个可用门的GaAs芯片,且功耗小于1.5W。CMOS减小功耗的主要措施是通过继续缩小尺寸来减小负载电容。电容的减小量与工作频率的增加量相比是较小的。虽然按照微瓦/门/兆赫这个指标来衡量,?

主 题 词：低功耗 高性能技术 GaAs 工作频率 CMOS电路 关键通路 性能设计 解决方法 逻辑结构 负载电容 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203118225...