DC-55 GHz高性能焊球阵列封装用非垂直互连结构

作     者：刘林杰 郝跃 周扬帆 王轲 乔志壮 LIU Linjie;HAO Yue;ZHOU Yangfan;WANG Ke;QIAO Zhizhuang

作者机构：西安电子科技大学陕西西安710000 中国电子科技集团公司第十三研究所封装专业部河北石家庄050000 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050000 

基　　金：面向紫外探测应用的高性能4H-SiC雪崩光电二极管及探测器阵列基础研究项目(No.61974134) 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2023年第31卷第3期

页      码：363-370页

摘      要：根据5G信号对通道带宽的要求,通过研究陶瓷基板中“类同轴”互连的微波特性,设计了一种新型非垂直互连结构,通过陶瓷介电层之间金属化通孔的错位设计,改善垂直过孔与水平传输线转弯处的阻抗突变,更有利于高频信号的传输,进一步扩展带宽。分析了错位角度、阶梯级数、焊球半径和焊球间距对传输性能的影响,设计并实现了宽带低损耗互连陶瓷基板。测试结果表明,该结构的最高应用频率可达55 GHz,在DC-55 GHz频带内插入损耗小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,同时利用实测数据进行信号传输验证,结果表明在未引入预加重、均衡的情况下即可满足56 G/112 G NRZ,112 G PAM4高速信号的传输。

主 题 词：无线通信 5G 高速 陶瓷基板 类同轴 预加重 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081105[081105] 081001[081001] 081002[081002] 0825[工学-环境科学与工程类] 0811[工学-水利类] 

核心收录：

D　O　I：10.37188/OPE.20233103.0363

馆 藏 号：203118254...