自修复聚硅氧烷研究进展

作     者：查俊伟 高婧涵 万宝全 郑明胜 ZHA Junwei;GAO Jinghan;WAN Baoquan;ZHENG Mingsheng

作者机构：北京科技大学化学与生物工程学院北京100083 北京科技大学北京材料基因工程高精尖创新中心北京100083 

基　　金：国家自然科学基金(51977114) 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2023年第49卷第1期

页      码：279-293页

摘      要：聚硅氧烷材料因其具有耐老化、电绝缘及疏水等优异性能而被广泛应用于航空、汽车、柔性电子器件、电气等领域。但是,聚硅氧烷材料在使用过程中不可避免地受到力、热、电等破坏,这些损伤可能导致材料性能的降低甚至完全丧失,缩短材料的使用寿命,安全性也面临重大考验。自修复就是材料在其内部裂纹形成时具有阻止裂纹继续扩展并使其愈合的能力,能够在发生损坏后恢复其基本性能,包括机械强度、导电性、断裂韧性和耐腐蚀性等,以防止材料破坏、延长使用寿命、拓展材料的使用范围。因此,研发自修复聚硅氧烷材料具有重要意义。然而自修复聚硅氧烷材料在发展过程中面临诸多问题,例如修复条件的便捷性、自修复与力学性能的矛盾、电损伤的修复等,均成为限制自修复聚硅氧烷材料发展的瓶颈。为此从外援型、本征型自修复的机理出发,综述了基于不同修复策略的自修复聚硅氧烷其结构设计与合成等方面的研究进展,深入探讨了自修复聚硅氧烷分子结构与自修复特性、机械性能等的关联,揭示了自修复发展过程中需要克服的关键问题,分析问题的成因,针对这些问题提出了可能的解决方案,最后对自修复聚硅氧烷在电工领域的应用进行了展望。

主 题 词：自修复 聚硅氧烷 机械损伤 动态可逆键 电损伤 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.13336/j.1003-6520.hve.20220117

馆 藏 号：203118264...