6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

作     者：余旭明 张斌 陈堂胜 任春江 YU Xuming;ZHANG Bin;CHEN Tangsheng;REN Chunjiang

作者机构：南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2011年第31卷第2期

页      码：111-114页

摘      要：报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。

主 题 词：铝镓氮/氮化镓 氮化镓功率放大器 宽带 6~18 GHz 微波单片集成电路 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2011.02.003

馆 藏 号：203118388...