应变诱导Bi_(2)O_(2)Se间接-直接带隙转变研究

作     者：黄静 黄凯 刘文亮 HUANG Jing;HUANG Kai;LIU Wenliang

作者机构：湘潭大学物理与光电工程学院湖南湘潭411105 

基　　金：湖南省教育厅项目(20B580 20A500) 

出 版 物：《湘潭大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiangtan University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2023年第45卷第1期

页      码：27-36页

摘      要：直接带隙半导体在光电子学中起着至关重要的作用.在这方面,Bi_(2)O_(2)Se因其独特的性质而受到越来越多的关注.然而,Bi_(2)O_(2)Se的本征带隙是间接的,不利于实际器件应用.该文结合改进的Becke-Johnson交换势和第一性原理计算分析了Bi_(2)O_(2)Se在应变下的电子特性.结果表明Bi_(2)O_(2)Se是一种间接带隙半导体,导带底位于Gamma点,价带顶位于X点,并且外部应变能有效地控制价带顶的位置从X到Gamma点的移动.Bi_(2)O_(2)Se在2%~7%的c轴方向单轴压缩和a轴和b轴方向的(001)面内双轴压缩应变下成为直接带隙半导体.Bi_(2)O_(2)Se的带隙宽度可以通过拉伸和压缩应变来调整.施加应变后Bi_(2)O_(2)Se的电子带隙在0.5 eV和0.9 eV范围内.此外,载流子的有效质量也可通过应变进行调控.Bi_(2)O_(2)Se的载流子迁移率在单轴压缩应变下会显著增加.值得注意的是,在2 K(300 K)温度下,计算的块体Bi_(2)O_(2)Se在a(b)方向电子和空穴的载流子迁移率分别为2.05×10^(6)cm^(2)V^(-1)s^(-1)和0.5×10^(5)cm^(2)V^(-1)s^(-1),在c方向电子和空穴的载流子迁移率分别为1.8×10^(6)cm^(2)V^(-1)s^(-1)和0.1×10^(6)cm^(2)V^(-1)s^(-1).本研究有望为设计直接带隙纳米结构和调整其带隙宽度以应用于高性能光电器件提供一条可能的新途径.

主 题 词：第一性原理 Bi_(2)O_(2)Se 应变 电子性质 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.13715/j.issn.2096-644X.20220612.0002

馆 藏 号：203118534...