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基于GaInAs/AlInAs中红外量子级联激光器的自洽电子子带能级结构研究

基于GaInAs/AlInAs中红外量子级联激光器的自洽电子子带能级结构研究

作     者:周明艳 徐文 肖宜明 肖欢 李龙龙 Francois M.Peeters 李浩文 陈思凡 ZHOU Ming-Yan;XU Wen;XIAO Yi-Ming;XIAO Huan;LI Long-Long;Francois MPeeters;LI Hao-Wen;CHEN Si-Fan

作者机构:云南大学物理与天文学院云南昆明650091 深圳网联光仪科技有限公司广东深圳518118 中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所安徽合肥230031 安特卫普大学物理系比利时安特卫普B-2020 深圳技术大学新材料与新能源学院广东深圳515118 

基  金:深圳市科技计划项目(KQTD20190929173954826) 国家自然科学基金项目(U1930116,U206720039,12004331) 

出 版 物:《红外》 (Infrared)

年 卷 期:2023年第44卷第1期

页      码:23-31页

摘      要:中红外(Mid-infrared,MIR)量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)已被广泛应用于定向红外对抗、自由空间光通信、痕量气体传感等重要领域。利用Nextnano++软件进一步完善了自洽计算基于MIR QCL器件的薛定谔方程和泊松方程的理论方法。针对InP衬底上生长的GaInAs/AlInAs多量子阱MIR QCL器件,研究了四能级双声子共振QCL结构中有源区的电子子带能级结构,并对这些子带能级随器件工作温度、驱动电场、注入区掺杂浓度等变化的规律进行了系统研究,获得了与实验结果一致的理论结果。此工作为MIR QCL器件的生长和制备提供了理论设计和研究方法,为了解器件工作条件提供了理论预期,也为进一步提高MIR QCL的发光功率和效率提供了理论研究支撑。

主 题 词:量子级联激光器 中红外 GaInAs/AlInAs 

学科分类:07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D O I:10.3969/j.issn.1672-8785.2023.01.004

馆 藏 号:203118541...

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