适用于高频开关芯片的快速瞬态响应LDO设计

作     者：毛帅 张杰 明鑫 张波 MAO Shuai;ZHANG Jie;MING Xin;ZHANG Bo

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61974019) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2022年第52卷第6期

页      码：974-980页

摘      要：设计了一种片外大电容快速瞬态响应低压差线性稳压器。该LDO电路基于跨导线性结构设计,在输出级引入推挽结构,有效地减小过冲的幅值和恢复时间,提高了LDO的瞬态响应速度;利用浮动缓冲器驱动功率管,有效地提高了LDO的电流效率;采用动态零点补偿技术,保证了LDO在全负载范围内的环路稳定性。该LDO电路基于0.35μm BCD工艺设计与仿真验证。结果表明,在1.2 V~3 V输入电压范围,LDO的输出电压为1 V,静态电流约为50μA,可提供0~300 mA的负载。在上升下降沿为500 ns、幅度为300 mA、轻载持续时间为50μs的负载瞬态跳变下,过冲和下冲均小于20 mV。电路满足高频负载跳变的应用需求。

主 题 词：片外大电容LDO 快速瞬态响应 过冲恢复 高频负载跳变 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.210457

馆 藏 号：203118553...