一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器

作     者：秦谋 袁波 陈罡子 李家祎 万天才 QIN Mou;YUAN Bo;CHEN Gangzi;LI Jiayi;WAN Tiancai

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆401332 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2022年第52卷第6期

页      码：931-935页

摘      要：设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器。采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超宽带性能;采用高匹配度的衰减位级联设计,实现了大衰减范围下的高精度衰减。经测试,在10 MHz~30 GHz频带范围内最大衰减量为31.5 dB,衰减步进为0.5 dB,参考态插入损耗<3.5 dB,衰减误差均方根值<0.45 dB。芯片总面积为2.30×1.20 mm^(2)。

主 题 词：数字衰减器 CMOS 超宽带 低插入损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.220310

馆 藏 号：203118553...