用于温度补偿型声表面波滤波器温补层的化学机械抛光工艺

作     者：冯志博 李湃 袁燕 史向龙 于海洋 孟腾飞 Feng Zhibo;Li Pai;Yuan Yan;Shi Xianglong;Yu Haiyang;Meng Tengfei

作者机构：北京航天微电科技有限公司北京100854 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2023年第60卷第2期

页      码：320-326页

摘      要：在制备温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器温补层工艺过程中,温补层薄膜的厚度控制、膜层质量控制和膜厚不均匀性(NU)控制十分重要。对TC-SAW滤波器晶圆的温补层的化学机械抛光(CMP)工艺进行了研究,探讨了不同晶圆背压和保持环压力的比值、抛光头转速和抛光盘转速的比值等对温补层的影响,进一步优化工艺参数,并研究了CMP对温补层表面粗糙度的影响。结果表明:采用优化后的工艺参数,即晶圆背压与保持环压力比值约为1.46(晶圆背压为350 g/cm^(3),保持环压力为240 g/cm^(3))、抛光头转速为93 r/min、抛光盘转速为87 r/min时,可以获得厚度稳定、表面均匀性良好、粗糙度为0.4 nm的膜层。最后将TC-SAW滤波器晶圆温补层进行化学机械抛光,得到膜厚为605.4 nm,总厚度偏差(TTV)为62.06 nm,NU为2.54%的温补层表面,最终得到滤波器的温漂系数为-1.478×10^(-5)/℃,可以满足设计要求,提高了滤波器的合格率。

主 题 词：化学机械抛光(CMP) 声表面波滤波器 温补层 膜厚不均匀性 温漂系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2023.02.020

馆 藏 号：203118627...