基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究

作     者：高汉超 尹志军 程伟 王元 许晓军 李忠辉 GAO Han-chao;YIN Zhi-jun;CHENG Wei;WANG Yuan;XU Xiao-jun;LI Zhong-hui

作者机构：南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2013年第34卷第8期

页      码：1057-1060页

摘      要：重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。

主 题 词：GaAsSb HBT 费米能级 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20133408.1057

馆 藏 号：203118633...