连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器

作     者：辛国锋 陈国鹰 花吉珍 康志龙 赵卫青 安振峰 冯荣珠 牛健 

作者机构：河北工业大学信息工程学院微电子所天津300130 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部石家庄05005 

基　　金：河北省科技攻关重点项目(编号0 3 2 13 540 D) 河北省自然科学基金项目(编号 60 3 0 80) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2003年第23卷第4期

页      码：476-479页

摘      要：利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。

主 题 词：应变单量子阱 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 连续波 MOCVD 结构设计 材料结构 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2003.04.018

馆 藏 号：203118653...