一种高线性吸收式限幅器设计方法

作     者：杜伟 王磊 邓世雄 白锐 

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北省石家庄市050051 

出 版 物：《电子技术与软件工程》 (ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING)

年 卷 期：2023年第1期

页      码：111-114页

摘      要：本文介绍了一种采用GaAs二极管设计的高线性吸收式限幅器设计方法。电路采用多级GaAs PIN二极管串联形式和加载功率吸收负载,利用GaAs PIN二极管线性度高、耐功率高的特点,可实现低损耗、线性度高和驻波比优良的高集成限幅器结构。测试结果表明在S频段,限幅器插入损耗小于0.5dB,承受功率可达到10W,输出P-1功率大于22dBm,限幅输出功率小于25dBm。本文提出一种新式高线性吸收式限幅器设计方法,在限幅器技术领域具有广阔的应用前景。

主 题 词：限幅器 GaAs二极管 高线性 高集成 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203118787...