MEMS高g加速度传感器高过载能力的优化研究

作     者：石云波 李平 朱正强 刘俊 张晓明 SHI Yun-bo;LI Ping;ZHU Zheng-qiang;LIU Jun;ZHANG Xiao-ming

作者机构：中北大学电子测试技术重点实验室太原030051 

基　　金：山西省青年学术带头人资助 新世纪优秀人才支持计划资助 

出 版 物：《振动与冲击》 (Journal of Vibration and Shock)

年 卷 期：2011年第30卷第7期

页      码：271-274页

摘      要：设计的MEMS高g加速度传感器抗高过载能力差,将导致在冲击等恶劣环境中应用时结构易破坏。通过分析传感器结构对其抗过载能力的影响,及在高冲击测试中传感器结构损坏情况的统计,提出了一种新颖的优化高g加速度传感器抗高过载能力的方法。该方法是在结构最易断裂的梁根部和端部添加倒角,以分散在冲击作用下传感器结构这些部位受到的应力,进而提高加速度传感器的高过载能力,并从理论仿真分析了该方法的可行性。最后利用Hopkinson杆测试方法对优化前后的加速度传感器进行冲击测试,测试结果表明,加速度计的抗高过载能力从180 000 g提高到240000 g,说明该优化方法显著,明显提高了该类加速度传感器的抗高过载能力,设计的加速度传感器达到了较理想的抗高过载能力。

主 题 词：MEMS高g加速度传感器 高过载 Hopkinson杆冲击测试 倒角 优化 

学科分类：1002[医学-临床医学类] 080202[080202] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 0801[工学-力学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3835.2011.07.053

馆 藏 号：203118864...