STM“接触”式测量中的整流效应

作     者：邱伟民 严学俭 李旭 沈淼 曾志刚 张莉 华中一 Qiu Weimin;Yan Xuejian;Li Xu;Shen Miao;ZENG ZHIGANG;Zhang Li;Hua Zhongyi

作者机构：复旦大学材料科学系上海200433 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2005年第25卷第3期

页      码：189-191,199页

摘      要：在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行“接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应。这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。

主 题 词：STM 接触模式 整流效应 有机电子器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-7126.2005.03.008

馆 藏 号：203118886...