硅栅CMOS IC抗电离辐照加固工艺研究

作     者：甘勇 赵元富 Gan Yong & Zhao Yung-fu (Li-Shan Microelectronics Inst.)

作者机构：骊山微电子学研究所 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：1989年第6卷第12期

页      码：15-18页

摘      要：本文报道了硅栅CMOS IC抗电离辐照加固工艺,尤其对γ电离辐照最敏感的栅氧化工艺作了详细的研究。在大量实验的基础上确定了优化的850℃下氢氧合成氧化工艺,并对栅氧化后的工艺步骤进行了优化设计。对场区的加固技术也进行了研究。采用该工艺制造的CMOS LC4007电路的抗γ电离辐照能力达2×10^(6rad)(si)。

主 题 词：硅栅CMOS 集成电容 电离辐照 加固 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203119301...