CVD成膜温度对铝薄膜小丘生成的影响

作     者：方兴 付学群 高平羽 

作者机构：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司江苏南京210000 

出 版 物：《中文科技期刊数据库（引文版）工程技术》 

年 卷 期：2021年第8期

页      码：262-264页

摘      要：纯铝薄膜作为金属电极在TFT-LCD中应用较广,但因其在高温制程中易诱发产出小丘,对良率造成较大影响。本文主要通过光学精密显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和集束离子注加工装置(FIB)观察小丘形貌,利用SL点灯装置分析小丘对产品造成的不良类型,得出与常规铝穿刺绝缘层造成绝缘层断裂或互连线间短路不同,此类小丘,铝与GT绝缘膜相互卷曲包裹而形成凸起。设计不同CVD镀膜温度实验,观察小丘发生状况,当CVD成膜温度由370℃降至340℃时,可得到几乎表面无小丘的产品。

主 题 词：小丘 纯铝薄膜 CVD成膜温度 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

馆 藏 号：203119323...