一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

作     者：陈大同 李志坚 

作者机构：清华大学微电子所 

基　　金：霍英东教育基金 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1990年第18卷第6期

页      码：9-13页

摘      要：本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。

主 题 词：MOSFET 沟道 离子注入 阈电压 模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203119357...