基于SiGe HBT的射频有源电感的设计

作     者：尤云霞 张万荣 金冬月 谢红云 沈珮 陈亮 丁春宝 孙博韬 YOU Yunxia;ZHANG Wanrong;JIN Dongyue;XIE Hongyun;SHEN Pei;CHEN Liang;DING Chunbao;SUN Botao

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 

基　　金：国家自然科学基金项目资助(60776051 60376033) 北京市自然科学基金项目资助(4082007) 北京市教委科技发展计划项目资助(KM200710005015 KM200910005001) 北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102(KB)-00856) 北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2010年第33卷第4期

页      码：424-427页

摘      要：基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带宽为1～15.8GHz的范围内,其电感值可以达到1nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4。通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268nH-1.914nH范围内变化。电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义。

主 题 词：有源电感 回转器 品质因数 自谐振频率 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.007

馆 藏 号：203119501...