基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计

作     者：刘伯飞 白立沙 张德坤 魏长春 孙建 赵颖 张晓丹 Liu Bofei;Bai Lisha;Zhang Dekun;Wei Changchun;Sun Jian;Zhao Ying;Zhang Xiaodan

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300071 

基　　金：国家重点基础研究(973)计划(2011CBA00706 2011CBA00707) 国家高技术研究发展(863)计划(2013AA050302) 天津市科技支撑(12ZCZDGX03600) 天津市重大科技支撑计划(11TXSYGX22100) 高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039) 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2013年第34卷第12期

页      码：2181-2185页

摘      要：采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。

主 题 词：非晶硅锗薄膜太阳电池 长波响应 锗流量梯度 双叠电池 

学科分类：0830[工学-生物工程类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0254-0096.2013.12.023

馆 藏 号：203119649...