大功率堆积型激光阵列光束的远场分布模型

作     者：高全华 王晋国 孙锋利 GAO Quan-hua;WANG Jin-guo;SUN feng-li

作者机构：长安大学理学院陕西西安710064 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：2014年第44卷第1期

页      码：22-24页

摘      要：为了合理地设计光学系统以整形大功率激光二极管阵列(High Diode Laser Stack)出射光束,必须准确了解HDLS的远场分布,然而对于HDLS远场分布的研究还不多。从亥姆霍兹方程出发,以激光二极管(Diode Laser)远场分布特性为基础,提出了一种新的半导体激光器阵列的远场分布模型,通过计算机仿真给出了简化DLS模型的远场光场变化图;模型还可表示不对称的双峰结构,有一定的现实意义。

主 题 词：半导体激光器阵列 双峰结构 远场分布模型 光强分布 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5078.2014.01.005

馆 藏 号：203119650...