基于高雾度BZO前电极的高效率非晶硅/纳米硅叠层电池的制备

作     者：彭长涛 张津岩 胡安红 曲铭浩 王全良 蒋奇拯 郁操 汝小宁 王建强 汪涛 徐希翔 

作者机构：铂阳装备集团公司研发中心成都610200 汉能创昱科技有限公司北京102209 四川汉能光伏有限公司成都610200 

基　　金：国家高技术研究发展(863)计划(2013AA050301) 

出 版 物：《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期：2013年第34卷第12期

页      码：2175-2180页

摘      要：利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比较。实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电极电池的QE总电流密度可比高质量商用FTO前电极电池高约1mA/cm2;通过自行研发的工艺技术,成功解决BZO前电极+非晶硅/纳米硅叠层+银背电极结构电池的开路电压和填充因子过低的问题,所制备的BZO前电极电池初始效率最高可达12.2%。

主 题 词：硅基薄膜电池 纳米硅 掺硼氧化锌 陷光 LPCVD 量子效率 

学科分类：080703[080703] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0254-0096.2013.12.022

馆 藏 号：203119668...