一种高性能宽带直接变频射频前端设计

作     者：苏浩 郭东君 张楠 石春琦 张润曦 SU Hao;GUO Dongjun;ZHANG Nan;SHI Chunqi;ZHANG Runxi

作者机构：华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 

基　　金：华东师大科技创业基金会(78210082) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2014年第44卷第5期

页      码：661-665页

摘      要：提出一种宽带(250MHz^4.7GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级。低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术。带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度。仿真结果表明,当电源电压为3.3V时,总电流为9.38mA,噪声系数为9.8dB(SSB),电压转换增益为20dB,输入3阶交调为+11.8dBm。

主 题 词：低噪声跨导放大器 无源混频器 宽带 噪声消除 非线性消除 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2014.05.022

馆 藏 号：203119701...