不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析

作     者：汪波 罗毅飞 刘宾礼 唐勇 WANG Bo;LUO Yifei;LIU Binli;TANG Yong

作者机构：海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室武汉430033 

基　　金：国家自然科学基金(50737004 51277178)~~ 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2014年第40卷第11期

页      码：3584-3589页

摘      要：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的死区时间设置通常是采用Infenion技术文档中的计算式来计算。但该计算式并没有考虑不同负载时的情形,可能会导致设置不合理。为此,首先分析了IGBT死区时间设置对穿通发生区域的影响,然后在不同负载条件下采用实验的方法测试得到了IGBT死区时间设置,并与计算式得到的理论值进行了比较。结果表明:阻性负载时必须考虑关断时的下降时间;而感性负载时只需取关断延时;空载时的测试结果不能作为设计参考。由此,对不同负载条件下IGBT死区时间设置的计算式进行了修正,并分析了计算式产生差别的原因。

主 题 词：IGBT 死区时间设置 穿通 阻性负载 感性负载 空载 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.13336/j.1003-6520.hve.2014.11.039

馆 藏 号：203119703...