基于0.18μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计

作     者：吴春红 朱恩 王雪艳 郁炜嘉 程树东 王志功 

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2003年第26卷第4期

页      码：438-440,437页

摘      要：基于0 18μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0 65×0 79mm2,1 8V电源供电,总功耗155mW,中心频率6GHz,调谐范围1GHz。可应用于IEEE802 11aWLAN系统。

主 题 词：射频集成电路 压控振荡器 CMOS工艺 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080803[080803] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.027

馆 藏 号：203119803...