可编程器件的瞬时电离辐射效应及加固技术研究

作     者：杜川华 许献国 赵海霖 赵洪超 DU Chuan-hua;XU Xian-guo;ZHAO Hai-lin;ZHAO Hong-chao

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所绵阳621900 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2014年第34卷第3期

页      码：369-374页

摘      要：概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明:32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁,闭锁阈值为6×107Gy/Si.s,反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启,二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高。分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理,提出了一种"瞬时回避+数据备份与恢复"的抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法。

主 题 词：可编程器件 瞬时电离辐射效应 32位微控制器 反熔丝FPGA 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0804[工学-材料学] 0827[工学-食品科学与工程类] 070204[070204] 0703[理学-化学类] 1009[医学-法医学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-0934.2014.03.023

馆 藏 号：203120019...