一种高性能带隙基准电压源设计

作     者：杨霄垒 张沁枫 蒋颖丹 YANG Xiaolei;ZHANG Qinfeng;JIANG Yingdan

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2015年第15卷第11期

页      码：26-29页

摘      要：对比分析传统的CMOS带隙基准电压源电路结构,基于一阶温度补偿设计一种高性能带隙基准电压源。电路采用基本差分放大器作为电路负反馈运放,运放输出用作PMOS电流源偏置,提高共模抑制比。Spectre仿真结果显示在-55~125℃温度范围内温度系数为4.18×10-6/℃,低频下电源抑制比达到-94 d B。在SMIC 65 nm CMOS工艺下,芯片面积为0.5×0.1 mm2,功耗为0.56 m W。

主 题 词：带隙基准 CMOS 温度系数 电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0120

馆 藏 号：203120602...