SiC单晶片切割力的广义预测控制

作     者：梁列 李淑娟 王嘉宾 麻磊 LIANG Lie;LI Shujuan;WANG Jiabin;MA Lei

作者机构：西安理工大学机械与精密仪器工程学院陕西西安710048 

基　　金：国家自然科学基金项目(51175420) 西安市自然科学基金项目(GX1506) 

出 版 物：《兵器材料科学与工程》 (Ordnance Material Science and Engineering)

年 卷 期：2016年第39卷第2期

页      码：42-46页

摘      要：Si C单晶因优良的物理和力学性能而大量用于大功率器件和IC行业,但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得困难。基于进给量与切割力的差分方程,设计广义预测控制器控制切割力。结果表明:所设计控制器能够很好地跟踪不同信号,具有良好的鲁棒性;相比与普通的切割过程,能够提高加工效率,并获得较好的加工表面。

主 题 词：广义预测控制 切割力 加工效率 表面质量 SiC单晶片 

学科分类：08[工学] 0835[0835] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

核心收录：

D　O　I：10.14024/j.cnki.1004-244x.20160304.003

馆 藏 号：203120722...