一种粒子探测器的CMOS读出电路设计(英文)

作     者：张雅聪 陈中建 鲁文高 赵宝瑛 吉利久 Zhang Yacong;Chen Zhongjian;Lu Wengao;Zhao Baoying;Ji Lijiu

作者机构：北京大学微电子研究院北京100871 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第2期

页      码：182-188页

摘      要：提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-(RC)n半高斯整形器的结构.电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声,仿真发现与传统结构相比,在探测器电容高达150pF时,输入等效噪声电荷数由5036个电子减小到2381个,代价是输出摆幅减小了0·5V.在整形器中,MOS管电阻与多晶硅电阻串联,通过调节MOS管的栅压来改变阻值,以补偿工艺的偏差,在不明显降低线性度的情况下保证了时间常数能够比较精确控制.

主 题 词：电荷灵敏放大器 整形器 读出电路 噪声优化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.02.008

馆 藏 号：203120893...